| بهبود عملکرد فوتوالکتروشیمیایی لایه نازک بیسموت وانادات دوپ شده با مولیبدن با پایداری بالا توسط بهینه سازی شرایط آماده سازی |
| کد مقاله : 1075-17THECSI |
| نویسندگان |
|
مینا سادات کوشکی1، مهدی بقایری *2، محمد جهکندی1، محمد زیرک1 1دانشگاه حکیم سبزواری 2گروه شیمی، دانشکده علوم پایه، دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار، ایران |
| چکیده مقاله |
| BiVO4 یک نیمه هادی عالی در نظر گرفته می شود که به طور گسترده در فوتوکاتالیز، تجزیه نوری و اکسیداسیون آب استفاده می شود. با این حال، فعالیت فوتوالکتروشیمیایی (PEC) لایه نازک BiVO4 خالص به دلیل شرایط انتقال بار ضعیف و چسبندگی ضعیف آن به بستر، نسبتاً کم است. در اینجا، رویکرد دوپینگ Mo برای افزایش رسانایی انتقال بار و تکنیک پوشش چرخشی اصلاح شده برای افزایش چسبندگی و یکنواختی لایه‌های نازک Mo-BiVO4 مورد استفاده قرار گرفت. این لایه از ترکیب متاوانادات آمونیوم، مولیبدات سدیم و نیترات بیسموت در حلال اتیلن گلیکول سنتز شد، سپس با روش پوشش دهی اصلاح شده اسپین بر روی بستر به شکل یک لایه نازک پوشش داده شد و با قرار دادن در کوره در دمای 400 درجه سانتیگراد به مدت 1 ساعت کلسینه شد.. فیلم نازک Mo-BiVO4 به‌دست‌آمده یک سطح مزوپور را نشان می‌دهد که به طور یکنواخت روی کل سطح زیرلایه ITO با چسبندگی عالی پوشش داده شده است. لایه Mo-BiVO4/ITO به عنوان فوتوآند در سلول PEC استفاده شد. الکترولیت های مختلف یعنی Na2SO4، Na2SO3، NaOH و NaNO3 برای به دست آوردن بهترین عملکرد PEC مورد بررسی قرار گرفتند. جریان نوری بدست آمده از فوتوآند Mo-BiVO4 در محلول Na2SO3 بیشتر از سایر الکترولیت های ذکر شده بود. پس از آن، غلظت الکترولیت Na2SO3 در محدوده 0.01 تا 0.1M ارزیابی شد. بالاترین جریان برای الکترولیت با غلظت 0.07M بدست آمد. با استفاده از چنین شرایط بهینه، جریان نوری فوتوآند Mo-BiVO4 4 برابر بیشتر از شرایط اولیه با پایداری بالا بود. |
| کلیدواژه ها |
| فوتوالکتروشیمیایی، فیلم نازک Mo-BiVO4، الکترود با پایداری بالا، روش پوشش دهی اسپینی |
| وضعیت: چکیده برای ارائه به صورت پوستر پذیرفته شده است |